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威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5 下半年量产-北京公交车灵异事件

威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5 下半年量产

BiCS5是由威腾电子与合作夥伴铠侠(Kioxia,前东芝记忆体)共同开发,将于日本三重县四日市及岩手县北上市的合资晶圆厂制造。

▲威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5。(图/业者提供)

记者周康玉/台北报导威腾电子(Western Digital)今(24)日宣布成功开发出第五代3D NAND技术BiCS5,目前已开始生产512Gb的BiCS5 TLC,并预计在2020年下半年就能开始商业化量产。

▲▼威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5。(图/业者提供)

BiCS5是威腾电子目前密度最高、最先进的3D NAND技术。第二代多层储存通孔技术、优化的工程设计流程及其他先进的3D NAND储存单元技术大幅提升晶圆的横向储存单元阵列密度。此外,BiCS5拥有112层垂直堆叠的储存容量,使每晶圆的储存容量比96层的BiCS4高出40%,可达到最佳成本;新架构设计也为BiCS5挹注更高效能,使其I/O效能较BiCS4提高50%。

威腾电子与铠侠推第五代3D NAND技术BiCS5 下半年量产

威腾电子记忆体技术与制造部门资深副总裁Steve Paak博士表示,BiCS5利用更先进的多层储存通孔(multi-tier memory hole)技术来增加横向储存密度,同时透过增加储存层让3D NAND技术的容量与效能显著提升,以满足客户对稳定性与低成本的期望。

请继续往下阅读... BiCS5采用三层单元(TLC)与四层单元(QLC)两种架构,因性价比、效能与稳定性等满足因连网汽车、行动装置与人工智慧而急速增长的资料量需求。未来,BiCS5 TLC与BiCS5 QLC将提供包括1.33Tb等多样的储存容量选择。

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